Salt okunur bellek
 | Bu madde, Vikipedi biçem el kitabına uygun değildir. (Şubat 2016) |
Salt okunur bellek (İngilizce: Read-only Memory, ROM). ROM, bilgisayarlarda ve diğer elektronik aletlerde kullanılan bir depolama birimidir. RAM gibi yazılıp silinebilen bir depolama birimi değildir. ROM içeriği sadece üretim anında yazılır. Kullanıcının kendi isteği doğrultusunda programlanamaz.
Tarihçesi
[değiştir | kaynağı değiştir]En basit yapılı transistörlü ROM, transistörün kendisi kadar eski bir tarihe sahiptir. Bileşimli mantıksal kapılar, m-bit veri çıktısının isteğe bağlı değerleri üzerine n-bit adres girdisi planı oluşturmak için elle birleştirilebilir. ROM, entegre devrelerin icadıyla Mask ROM'a haline gelmiştir.
Yazılımı
[değiştir | kaynağı değiştir]Elektrikle değiştirilebilir ROM bu tür için, yazma hızı her zaman çok hızlı okuma ise daha yavaştır. ve olağanüstü yüksek voltaj, sinyalleri etkinleştirmek yazmak uygulamak için jumper fişlerinin hareketi ve / komut kodları kilidini özel kilit gerekebilir. Modern NAND Flash (ihtiyaç) bellek hücrelerinin büyük bloklar aynı anda yazılı izin vererek, 15 MB / s gibi yüksek hızlarda (veya 70 ns / bit) ile, herhangi bir yeniden yazılabilir ROM teknolojisi yazma hızı en yükseğe ulaştırır.
Okunma hızı
[değiştir | kaynağı değiştir]RAM ve ROM hızlarının kıyası zaman içinde çeşitlilik göstermesine rağmen, 2007 itibarıyla büyük RAM çipleri birçok ROM'dan daha hızlı okunmaktadır.Bu nedenle (ve standart erişime izin vermek için) ROM içeriği bazen RAM'e kopyalanır ya da ilk kullanımdan önce geçici olarak saklanır ve daha sonra RAM tarafından okunur.
Dayanıklılık ve veri saklama
[değiştir | kaynağı değiştir]Yeniden yazılabilir ROM ancak belli bir yazma sayısına kadar dayanıklıdır çünkü elektronların serbest transistör geçişi üzerindeki elektrik izolasyon katmanının içinden geçmesiyle yazma işi gerçekleşir. Her geçiş izolasyon katmanında belli bir hasara neden olur.İzolasyon katmanında kalıcı bir hasar olmadan önce ROM döngüsünü tamamlar.İlk çıkan EAROMlarda bu sınır 1.000(bin) yazma işlemiyle sınırlıyken modern Flash EEPROMlarda dayanıklılık 1.000.000(bir milyon)'a kadar ulaşmıştır.Yine de bu sınırsız sayıda yazma işlemi anlamına gelmemektedir.Bu dayanıklılık sınırı ve bit başına düşen yüksek değer gösteriyor ki yakın gelecekte flash tabanlı belleklerin manyetik disk sürücüleri tamamen yerinden etmesi pek mümkün değildir.
Tam olarak okunabilen ROM'un üzerindeki zaman aralığı yazma döngüsüyle sınırlı değildir. EPROM, EAROM, EEPROM ve Flash'ın veri saklaması, hafıza hücre transistörlerinden sızan dalgalı geçişler tarafından sınırlandırılabilir. Bu sızıntı yüksek sıcaklık ya da radyasyon tarafından hızlandırılabilir. Gizlenmiş ROMlar ve fuse/antifuse PROMlar bundan etkilenmezler, onların veri saklaması fiziksel etkilerden ziyade dahili devrenin elektriksel kalıcılığına bağlıdır.
 | Bilgisayar ile ilgili bu madde taslak seviyesindedir. Madde içeriğini genişleterek Vikipedi'ye katkı sağlayabilirsiniz. |
