Junction Field Effect Transistor - Vikipedi
İçeriğe atla
Ana menü
Gezinti
  • Anasayfa
  • Hakkımızda
  • İçindekiler
  • Rastgele madde
  • Seçkin içerik
  • Yakınımdakiler
Katılım
  • Deneme tahtası
  • Köy çeşmesi
  • Son değişiklikler
  • Dosya yükle
  • Topluluk portalı
  • Wikimedia dükkânı
  • Yardım
  • Özel sayfalar
Vikipedi Özgür Ansiklopedi
Ara
  • Bağış yapın
  • Hesap oluştur
  • Oturum aç
  • Bağış yapın
  • Hesap oluştur
  • Oturum aç

İçindekiler

  • Giriş
  • 1 JFET çeşitleri
    • 1.1 N Kanallı JFET
    • 1.2 P Kanallı JFET
  • 2 JFET'lerin avantajları
  • 3 JFET'lerin dezavantajları
  • 4 Kaynakça

Junction Field Effect Transistor

  • العربية
  • Català
  • Čeština
  • Deutsch
  • English
  • Español
  • Eesti
  • Euskara
  • فارسی
  • Suomi
  • Français
  • हिन्दी
  • Bahasa Indonesia
  • İtaliano
  • Polski
  • Português
  • Srpskohrvatski / српскохрватски
  • Српски / srpski
  • Українська
  • Tiếng Việt
  • 吴语
  • 中文
Bağlantıları değiştir
  • Madde
  • Tartışma
  • Oku
  • Değiştir
  • Kaynağı değiştir
  • Geçmişi gör
Araçlar
Eylemler
  • Oku
  • Değiştir
  • Kaynağı değiştir
  • Geçmişi gör
Genel
  • Sayfaya bağlantılar
  • İlgili değişiklikler
  • Kalıcı bağlantı
  • Sayfa bilgisi
  • Bu sayfayı kaynak göster
  • Kısaltılmış URL'yi al
  • Karekodu indir
Yazdır/dışa aktar
  • Bir kitap oluştur
  • PDF olarak indir
  • Basılmaya uygun görünüm
Diğer projelerde
  • Wikimedia Commons
  • Vikiveri ögesi
Görünüm
Vikipedi, özgür ansiklopedi
(JFET sayfasından yönlendirildi)
JFET
Bir p-kanallı JFETte kaynaktan drenaja elektrik akımı, kapıya bir voltaj uygulandığında kısıtlanır.
TürAktif
Pin yapılandırması drenaj, kapı, kaynak
Elektronik sembol

JFET (Junction Field Effect Transistor - birleşim yüzeyli alan etkili transistör) üretilen ilk alan etkili transistörlerdir (FET-Field Effect Transistör). JFET'ler üç bacaklıdır; G (Gate), S (Source) ve D (Drain). JFET'lerin G bacakları normal transistörlerin base bacağına, source bacakları normal transitörlerin emiter bacağına, drain bacakları ise normal transistörlerin kollektör bacaklarına benzetilebilir.

JFET'lerin giriş empedansları 100 MOHM dolayında olup çok yüksektir, çalışabildikleri frekans aralığı dardır. JFET'ler giriş empedanslarının yüksek ve elektrotları arasındaki kapasitenin düşük olması nedeniyle yüksek frekanslı elektronik devrelerde kullanılırlar.

Normal transistör ile JFET arasındaki tek fark, normal transistörün kollektör emiter arasındaki akımın, base'inden verilen akımla kontrol edilmesi, JFET transistörün ise gate 'inden verilen gerilimle kontrol edilmesidir. Yani JFET'ler gate ucundan hiçbir akım çekmezler. JFET'in en önemli özelliği de budur. Bu özellik içerisinde çok sayıda transistör bulunduran entegrelerde ısınma ve akım yönünden büyük bir avantaj sağlar.

JFET çeşitleri

[değiştir | kaynağı değiştir]

Normal transistörlerin NPN ve PNP çeşitleri olduğu gibi JFET transistörlerinde N kanal ve P kanal olarak çeşitleri bulunmaktadır. Fakat genel olarak en çok N kanal JFET'ler kullanılır.

N Kanallı JFET

[değiştir | kaynağı değiştir]

N kanal JFET transistörler iki adet P ve bir adette N maddesinin birleşiminden meydana gelmiştir. Gate ucuna uygulanan gerilim ile Drain ve Source uçları arasındaki direnç değeri kontrol edilir. Gate ucu 0V tutulduğunda, yani D ucuna birleştirildiğinde P ve N maddeleri arasındaki nötr bölge genişlemeye başlar. Bu durumda D ve S uçları arasından yüksek bir akım akmaktadır. D ve S uçları arasına uygulanan gerilim seviyesi arttırıldığı takdirde ise bu nötr bölge daha da genişlemeye başlar ve akım doyum değerinde sabit kalır. Gate ucuna eksi değerde bir gerilim uygulanması durumunda ise nötr bölge daralır. Akım seviyesi de gate ucuna uygulanan gerilim seviyesine bağlı olarak düşmeye başlar. Bu sayede D ve S uçlarındaki direnç değeri yükselir.

P Kanallı JFET

[değiştir | kaynağı değiştir]

P kanal JFET transistörlerin çalışma sistemi de N kanal JFET 'lerle aynıdır. Tek farkı polarizasyon yönünün ve P N maddelerinin yerlerinin ters olmasıdır. Yani gate ucuna pozitif yönde polarizasyon verdiğimizde D ve S uçları arasındaki direnç artar, akım düşer. Gate ucu 0V iken ise akım doyumdadır.

JFET'lerin avantajları

[değiştir | kaynağı değiştir]
  • JFET'ler anahtar olarak kullanıldıklarında sapma gerilimleri yoktur.
  • JFET'ler bipolar transistörlere göre daha az parazit ile (gürültü) çalışırlar.
  • JET'lerin sıcaklık kararlılıkları yüksektir, yani sıcaklık değişimlerinden az etkilenirler.
  • JFET'lerin gövdeleri küçük olduğundan entegrelerde çok kullanılırlar.

JFET'lerin dezavantajları

[değiştir | kaynağı değiştir]
  • JFET'lerin dezavantajı çalışabildikleri frekans aralığının (bant genişliği) dar olması ve çabuk hasar görebilmeleridir.
  • Mosfetler ve JFET'ler arasındaki en önemli fark da mosfetlerin bant genişliğinin çok daha fazla olmasıdır.

Kaynakça

[değiştir | kaynağı değiştir]
  • Robotik Sistem 22 Aralık 2015 tarihinde Wayback Machine sitesinde arşivlendi.
Taslak simgesiElektronik ile ilgili bu madde taslak seviyesindedir. Madde içeriğini genişleterek Vikipedi'ye katkı sağlayabilirsiniz.
  • g
  • t
  • d
Elektronik devre elemanları
Yarı iletkenler
  • Avalanş diyot
  • Barretter
  • Darlington bağlantısı
  • DIAC
  • Diyot
  • Alan etkili transistör (FET)
  • Fotosel
  • Insulated-gate bipolar transistor (IGBT)
  • JFET
  • Light-emitting diode (LED)
  • Memristor
  • MOSFET
  • Pin diyot
  • Silikon-kontrollü doğrultucu (SCR)
  • Tristör
  • Transistör
  • TRIAC
  • UJT transistorü (UJT)
  • Zener diyot
  • Entegre devre
  • Organik yarı iletken
  • Baskılı devre kartı
  • Lazer Diyot
Vakum tüpleri
  • Kompaktron
  • Nuvistor
  • Pentagrid dönüştürücü
  • Soğuk katot
Vakum tüpler (RF/Mikrodalga)
  • Arka dalga osilatörü (BWO)
  • Çapraz-alanlı amfi
  • Gyrotron
  • Indüktiv çıkış tüpü (IOT)
  • Klystron
  • Magnetron
  • Mazer
  • Gezen-dalga tüpü
Ayarlanabilirler
  • Humidistat
  • Potansiyometre
  • Termostat
  • Varaktör
  • Varistör
  • Varyabl kondansatör
Pasif
  • Direnç
  • Ferrit
  • Konnektör (Priz  • Baseband  • RF)
  • Sıfırlanabilir sigorta
  • Sigorta
  • Termistör
  • Transformatör
Reaktif
  • Frekans seçici yüzey
  • İndüktör
  • Kondansatör
  • Röle
  • Parametron
  • Kristal osilatör
  • Seramik rezonatör
"https://tr.wikipedia.org/w/index.php?title=Junction_Field_Effect_Transistor&oldid=34157973" sayfasından alınmıştır
Kategoriler:
  • Elektronik taslakları
  • Transistörler
Gizli kategoriler:
  • Webarşiv şablonu wayback bağlantıları
  • Tüm taslak maddeler
  • Sayfa en son 10.23, 31 Ekim 2024 tarihinde değiştirildi.
  • Metin Creative Commons Atıf-AynıLisanslaPaylaş Lisansı altındadır ve ek koşullar uygulanabilir. Bu siteyi kullanarak Kullanım Şartlarını ve Gizlilik Politikasını kabul etmiş olursunuz.
    Vikipedi® (ve Wikipedia®) kâr amacı gütmeyen kuruluş olan Wikimedia Foundation, Inc. tescilli markasıdır.
  • Gizlilik politikası
  • Vikipedi hakkında
  • Sorumluluk reddi
  • Davranış Kuralları
  • Geliştiriciler
  • İstatistikler
  • Çerez politikası
  • Mobil görünüm
  • Wikimedia Foundation
  • Powered by MediaWiki
Junction Field Effect Transistor
Konu ekle