UJT transistorü - Vikipedi
İçeriğe atla
Ana menü
Gezinti
  • Anasayfa
  • Hakkımızda
  • İçindekiler
  • Rastgele madde
  • Seçkin içerik
  • Yakınımdakiler
Katılım
  • Deneme tahtası
  • Köy çeşmesi
  • Son değişiklikler
  • Dosya yükle
  • Topluluk portalı
  • Wikimedia dükkânı
  • Yardım
  • Özel sayfalar
Vikipedi Özgür Ansiklopedi
Ara
  • Bağış yapın
  • Hesap oluştur
  • Oturum aç
  • Bağış yapın
  • Hesap oluştur
  • Oturum aç

İçindekiler

  • Giriş
  • 1 UJT nasıl çalışır
  • 2 UJT Transistörlü Darbe Osilatörü devresi
  • 3 Kaynakça

UJT transistorü

  • العربية
  • Български
  • Català
  • Dansk
  • Deutsch
  • English
  • Español
  • Eesti
  • فارسی
  • Français
  • Bahasa Indonesia
  • İtaliano
  • 日本語
  • Қазақша
  • 한국어
  • Latviešu
  • Македонски
  • Bahasa Melayu
  • Nederlands
  • Polski
  • Português
  • Русский
  • Українська
  • Tiếng Việt
  • 中文
Bağlantıları değiştir
  • Madde
  • Tartışma
  • Oku
  • Değiştir
  • Kaynağı değiştir
  • Geçmişi gör
Araçlar
Eylemler
  • Oku
  • Değiştir
  • Kaynağı değiştir
  • Geçmişi gör
Genel
  • Sayfaya bağlantılar
  • İlgili değişiklikler
  • Kalıcı bağlantı
  • Sayfa bilgisi
  • Bu sayfayı kaynak göster
  • Kısaltılmış URL'yi al
  • Karekodu indir
Yazdır/dışa aktar
  • Bir kitap oluştur
  • PDF olarak indir
  • Basılmaya uygun görünüm
Diğer projelerde
  • Wikimedia Commons
  • Vikiveri ögesi
Görünüm
Vikipedi, özgür ansiklopedi
N tipi ve P tip UJT transistörlerin sembolleri. En sonda ise bir UJT transistörün alt görünüş çizimi bulunmaktadır.
UJT Transistörlü Darbe Osilatörü devre şeması.

UJT tek bileşimli transistör.[1] Özellikle transistörlerin iletken yapılması için (ateşlenmesi, tetiklenmesi) geliştirilmiş bir yarı iletken elektronik devre elemanıdır.[1] Kontrollü olarak akımı tek yönde ileten bir transistor türüdür. Çoğunlukla periyodik tetiklemeler için bir Osilatör devresi ya da doğrusal testere dişi dalga üretmek için kullanılır.

UJT (unijunction) transistörleri, üç ayaklı ve iki tipte (N ve P tipi emiter) üretilir. Tristör ve triyak devrelerinde tetikleme için gerekli olan darbeleri üretir. Relaksasyon (gevşemeli) osilatör yapımında kullanılan yarı iletken bir devre elemanıdır. UJT AVO metre ile test edilirken, UJT'nin B2-B1 (beyz2-beyz1) uçları arasında her iki yönde de 5–10 KΩ arasında bir direnç değeri ölçülür. Emiterle B2 ve B1 arasında bir yönde küçük, diğer yönde yüksek direnç değeri ölçülür. Bu durumda UJT sağlamdır, denir. Emiterle, B1 ve B2 arasında direnç ölçümünde büyük değer gösteren uç B1, biraz daha düşük değer gösteren uç ise B2 ucudur. Emiter ucu normal transistör de beyz ucu nasıl bulunuyorsa, aynı yöntemlerle bulunur.

N tipi ve P tipi UJT transistörlerin sembolleri sağ-yukarıda gösterilmiştir. Örnek olarak resmin en sonunda N2646 UJT transistörünün alt görünüşü verilmiştir.

UJT nasıl çalışır

[değiştir | kaynağı değiştir]

Emiter–B1 arasına uygulanan gerilimin belli bir değeri, aşamasıyla iletime geçen ve B1 – B2 arasından akım akıtan, yarı iletken bir devre elemandır.

UJT Transistörlü Darbe Osilatörü devresi

[değiştir | kaynağı değiştir]

UJT ile yapılan gevşemeli osilatörlere örnek olarak yandaki devre incelenebilir. Burada C kondansatörü, R3 ve P1 dirençleri üzerinden şarj olmaya başlar. Kondansatör uçlarındaki şarj gerilimi, UJT'nin E–B1 eklemi kırılma değerine ulaştığı ana kadar sürer. UJT'nin E–B1 arası, dolayısıyla B1–B2 arası iletime geçer ve kondansatör derhal deşarj olur, olay başa döner, işlem tekrarlanır. B1 ve B2 uçlarından iğne şeklinde darbeler alınır ve ilgili diğer devrelerde kullanılır.

Soru: Devrede osilatör frekansını belirleyen elemanlar hangileridir?
Cevap: R3–P1–C elemanlarıdır. Kondansatörün dolma boşalma zamanını belirler.

Kaynakça

[değiştir | kaynağı değiştir]
  1. ^ a b UJT Unijunction-Transistor 29 Ekim 2009 tarihinde Wayback Machine sitesinde arşivlendi. 320volt.com. 21 Ekim 2009 tarihinde erişildi.
  • g
  • t
  • d
Elektronik devre elemanları
Yarı iletkenler
  • Avalanş diyot
  • Barretter
  • Darlington bağlantısı
  • DIAC
  • Diyot
  • Alan etkili transistör (FET)
  • Fotosel
  • Insulated-gate bipolar transistor (IGBT)
  • JFET
  • Light-emitting diode (LED)
  • Memristor
  • MOSFET
  • Pin diyot
  • Silikon-kontrollü doğrultucu (SCR)
  • Tristör
  • Transistör
  • TRIAC
  • UJT transistorü (UJT)
  • Zener diyot
  • Entegre devre
  • Organik yarı iletken
  • Baskılı devre kartı
  • Lazer Diyot
Vakum tüpleri
  • Kompaktron
  • Nuvistor
  • Pentagrid dönüştürücü
  • Soğuk katot
Vakum tüpler (RF/Mikrodalga)
  • Arka dalga osilatörü (BWO)
  • Çapraz-alanlı amfi
  • Gyrotron
  • Indüktiv çıkış tüpü (IOT)
  • Klystron
  • Magnetron
  • Mazer
  • Gezen-dalga tüpü
Ayarlanabilirler
  • Humidistat
  • Potansiyometre
  • Termostat
  • Varaktör
  • Varistör
  • Varyabl kondansatör
Pasif
  • Direnç
  • Ferrit
  • Konnektör (Priz  • Baseband  • RF)
  • Sıfırlanabilir sigorta
  • Sigorta
  • Termistör
  • Transformatör
Reaktif
  • Frekans seçici yüzey
  • İndüktör
  • Kondansatör
  • Röle
  • Parametron
  • Kristal osilatör
  • Seramik rezonatör
"https://tr.wikipedia.org/w/index.php?title=UJT_transistorü&oldid=34775469" sayfasından alınmıştır
Kategoriler:
  • Elektronik terimleri
  • Transistörler
Gizli kategori:
  • Webarşiv şablonu wayback bağlantıları
  • Sayfa en son 16.32, 9 Şubat 2025 tarihinde değiştirildi.
  • Metin Creative Commons Atıf-AynıLisanslaPaylaş Lisansı altındadır ve ek koşullar uygulanabilir. Bu siteyi kullanarak Kullanım Şartlarını ve Gizlilik Politikasını kabul etmiş olursunuz.
    Vikipedi® (ve Wikipedia®) kâr amacı gütmeyen kuruluş olan Wikimedia Foundation, Inc. tescilli markasıdır.
  • Gizlilik politikası
  • Vikipedi hakkında
  • Sorumluluk reddi
  • Davranış Kuralları
  • Geliştiriciler
  • İstatistikler
  • Çerez politikası
  • Mobil görünüm
  • Wikimedia Foundation
  • Powered by MediaWiki
UJT transistorü
Konu ekle