Kuantum Hall etkisi - Vikipedi
İçeriğe atla
Ana menü
Gezinti
  • Anasayfa
  • Hakkımızda
  • İçindekiler
  • Rastgele madde
  • Seçkin içerik
  • Yakınımdakiler
Katılım
  • Deneme tahtası
  • Köy çeşmesi
  • Son değişiklikler
  • Dosya yükle
  • Topluluk portalı
  • Wikimedia dükkânı
  • Yardım
  • Özel sayfalar
Vikipedi Özgür Ansiklopedi
Ara
  • Bağış yapın
  • Hesap oluştur
  • Oturum aç
  • Bağış yapın
  • Hesap oluştur
  • Oturum aç

İçindekiler

  • Giriş
  • 1 Kaynakça
  • 2 Konuyla ilgili yayınlar

Kuantum Hall etkisi

  • العربية
  • Беларуская
  • বাংলা
  • Català
  • Čeština
  • Dansk
  • Deutsch
  • English
  • Español
  • فارسی
  • Suomi
  • Français
  • Gaeilge
  • עברית
  • Hrvatski
  • İtaliano
  • 日本語
  • 한국어
  • Latviešu
  • Nederlands
  • Norsk nynorsk
  • Norsk bokmål
  • Polski
  • Português
  • Русский
  • Српски / srpski
  • Українська
  • Tiếng Việt
  • 中文
Bağlantıları değiştir
  • Madde
  • Tartışma
  • Oku
  • Değiştir
  • Kaynağı değiştir
  • Geçmişi gör
Araçlar
Eylemler
  • Oku
  • Değiştir
  • Kaynağı değiştir
  • Geçmişi gör
Genel
  • Sayfaya bağlantılar
  • İlgili değişiklikler
  • Kalıcı bağlantı
  • Sayfa bilgisi
  • Bu sayfayı kaynak göster
  • Kısaltılmış URL'yi al
  • Karekodu indir
Yazdır/dışa aktar
  • Bir kitap oluştur
  • PDF olarak indir
  • Basılmaya uygun görünüm
Diğer projelerde
  • Wikimedia Commons
  • Vikiveri ögesi
Görünüm
Vikipedi, özgür ansiklopedi

Kuantum Hall etkisi, Hall etkisinin kuantum mekaniği sürümüdür. Birbirine dik elektriksel ve manyetik alan içerisindeki bir iletken veya yarı iletkenden hem elektriksel alan yönünde hem de elektriksel ve manyetik alana dik yönde akım geçer. Geçen akıma göre her iki doğrultuda da iletkenlik ölçüldüğünde iletkenliğin manyetik alanının tersiyle doğru orantılı olduğu görülür. B=10 Tesla gibi yüksek manyetik alanlarda ise bu orantı doğrusallıktan sapar ve doldurma çarpanının belirli katlarında enine iletkenlikte düz bölgeler gözlenir. Bu bölgeler doldurma çarpanının tam sayı katlarında gözlenirse tam sayı kuantum Hall etkisi, kesirli katlarında gözlenirse kesirli kuantum Hall etkisi denir. Bu düzlüklerdeki iletkenlik değeri evrensel sabitler olan elektron yükünün karesinin, Planck sabitine bölümünün tam veya kesirli katları cinsinden gözlenir. Bu oran ince yapı sabitinin hassas olarak belirlenmesinde kullanılmaktadır. Öte yandan boyuna iletkenlik, enine iletkenlikteki manyetik alanın tersine bağlı düzlüklerin bir sonraki düzlüğe geçtiği bölgede sonlu değerler alırken düzlük bölgesinde sıfırdır.[1]

Kaynakça

[değiştir | kaynağı değiştir]
  1. ^ Ezawa, Zyun F. (2013). Quantum Hall Effects: Recent Theoretical and Experimental Developments (İngilizce) (3. bas.). World Scientific. ISBN 978-981-4360-75-3. 

Konuyla ilgili yayınlar

[değiştir | kaynağı değiştir]
  • Yennie, D. R. (1987). "Integral quantum Hall effect for nonspecialists". Rev. Mod. Phys. (İngilizce). 59 (3). ss. 781-824. Bibcode:1987RvMP...59..781Y. doi:10.1103/RevModPhys.59.781. 
  • Hsieh, D.; Qian, D.; Wray, L.; Xia, Y.; Hor, Y. S.; Cava, R. J.; Hasan, M. Z. (2008). "A topological Dirac insulator in a quantum spin Hall phase". Nature (İngilizce). 452 (7190). ss. 970-974. arXiv:0902.1356 Özgürce erişilebilir. Bibcode:2008Natur.452..970H. doi:10.1038/nature06843. PMID 18432240. 
  • Avron, Joseph E.; Osadchy, Daniel; Seiler, Ruedi (2003). "A Topological Look at the Quantum Hall Effect". Physics Today (İngilizce). 56 (8). s. 38. Bibcode:2003PhT....56h..38A. doi:10.1063/1.1611351. 
  • Ezawa, Zyun F. (2008). Quantum Hall Effects - Field Theoretical Approach and Related Topics (İngilizce). Singapur: World Scientific. ISBN 978-981-270-032-2. 19 Ağustos 2020 tarihinde kaynağından arşivlendi. Erişim tarihi: 25 Mart 2019. 
  • Sarma, Sankar D.; Pinczuk, Aron (2004). Perspectives in Quantum Hall Effects (İngilizce). Weinheim: Wiley-VCH. ISBN 978-0-471-11216-7. 
  • Baumgartner, A.; Ihn, T.; Ensslin, K.; Maranowski, K.; Gossard, A. (2007). "Quantum Hall effect transition in scanning gate experiments". Phys. Rev. B (İngilizce). 76 (8). s. 085316. Bibcode:2007PhRvB..76h5316B. doi:10.1103/PhysRevB.76.085316. 
  • Rashba, Emmanuel; Timofeev, V. B. (1986). "Quantum Hall Effect". Sov. Phys. - Semiconductors, 20. ss. 617-647. 
Otorite kontrolü Bunu Vikiveri'de düzenleyin
  • GND: 4124013-3
  • LCCN: sh88004889
  • NLI: 987007548808905171
"https://tr.wikipedia.org/w/index.php?title=Kuantum_Hall_etkisi&oldid=36328247" sayfasından alınmıştır
Kategoriler:
  • Hall etkisi
  • Kuantum elektroniği
  • Kuantum hâlleri
Gizli kategoriler:
  • GND tanımlayıcısı olan Vikipedi maddeleri
  • LCCN tanımlayıcısı olan Vikipedi maddeleri
  • NLI tanımlayıcısı olan Vikipedi maddeleri
  • Sayfa en son 10.52, 2 Kasım 2025 tarihinde değiştirildi.
  • Metin Creative Commons Atıf-AynıLisanslaPaylaş Lisansı altındadır ve ek koşullar uygulanabilir. Bu siteyi kullanarak Kullanım Şartlarını ve Gizlilik Politikasını kabul etmiş olursunuz.
    Vikipedi® (ve Wikipedia®) kâr amacı gütmeyen kuruluş olan Wikimedia Foundation, Inc. tescilli markasıdır.
  • Gizlilik politikası
  • Vikipedi hakkında
  • Sorumluluk reddi
  • Davranış Kuralları
  • Geliştiriciler
  • İstatistikler
  • Çerez politikası
  • Mobil görünüm
  • Wikimedia Foundation
  • Powered by MediaWiki
Kuantum Hall etkisi
Konu ekle