MOSFET Arttıran Azaltan tip
Alan etkili transistörlerde (FET'lerde) Arttıran ve Azaltan olarak iki ana transistör tipi bulunur. Gate ve Source bacakları arasındaki voltajın açık veya kapalı durumunda olmasına karşılık gelirler.
Arttıran Tip MOSFET (Enhancement-Type) Çoğu entegre devrede yaygın olarak kullanılan bir anahtarlama elemanıdır.Bu tip MOSFET'lerde gate - source volajı kapalıdır. N Kanal Arttıran tip bir MOSFET'de gate voltajını source voltajından daha yüksek bir değere çekerek açılabilir. P Kanal Arttıran tip bir MOSFET'de ise gate voltajı source voltajından daha düşük bir değere çekilerek açılabilir. Çoğu devrede artttıran tip bir MOSFET'in gate voltajını drain voltajına doğru çekmek onun açılmasını sağlar.
Azalan Tip MOSFET'de cihaz normalde gate-source voltajında iken açık durumdadır.Bu tür cihazlar direnç olarakta kullanılabilir.N Kanal azalan tip cihazlar için yeterli voltaj yaklaşık -3V olabilir,bu nedenle gate 3V negatif çekerse cihazı kapatabilir.P Kanal MOSFET'lerde kutuplar tersine çevrilir.
Birleşim Yüzeyli Alan Etkili Transistör(JFET)Gate gerilimin source ve drain gerilimlerine doğru biraz fazla arttırılırsa kapı ekleminin ileri yönde kutuplanacağından dolayı azalan tiptir.Bu tür devre elemanları oksit yalıtkan üretmenin zor olduğu galyum arsenit ve germanyum çiplerinde kullanılır. Bazı kaynaklar bu makalede Arttıran tip ve Azaltan tip olarak tanımlanan MOSFET tipleri için Arttıran Mod , Azaltan Mod , Tükenme Modu(Tipi) ,Güçlendirme Modu(Tipi) ifadelerini kullanmakta çoğunlukla hemen hemen hepsi doğru bir tanımlama şekli çünkü deplition ve enhancement türkçeye tam olarak çevrilemiyor.Gate voltajının drain voltajına doğru hareket ettirilmesi kanaldaki iletimi "Arttırır" bu nedenle bu arrtıran tipi tanımlar.Gate voltajının drain'den uzaklaştırılması kanalın üstündeki voltajı azaltır bu sebeple buda azaltan tipi tanımlar.
Tarih
[değiştir | kaynağı değiştir]MOSFET mantık kapılarının orijinal iki türü olan PMOS ve NMOS, 1957'de Bell Labs'te Frosch ve Derick tarafından geliştirilmiştir. 1963'te, hem tükenme hem de geliştirme modlu MOSFET'ler, RCA Laboratuvarları'nda Steven Hofstein ve Fred Heiman tarafından tanımlanmıştır .1966'da, Westinghouse Electric'te T. P. Brody ve H. E. Kunig , geliştirme ve tükenme modlu indiyum arsenit (InAs) MOS ince film transistörleri (TFT'ler) üretmiştir.2022'de, hem tükenme modunda hem de geliştirme modunda davranan ilk çift modlu organik transistör, Kaliforniya Üniversitesi-Santa Barbara'daki bir ekip tarafından rapor edilmiştir.
Kaynakça
[değiştir | kaynağı değiştir]1-John J. Adams (2001). Mastering Electronics Workbench. McGraw-Hill Professional. p. 192. ISBN 978-0-07-134483-8.
2- Brody, T. P.; Kunig, H. E. (October 1966). "A HIGH-GAIN InAs THIN-FILM TRANSISTOR". Applied Physics Letters. 9 (7): 259–260. Bibcode:1966ApPhL...9..259B. doi:10.1063/1.1754740. ISSN 0003-6951.